ON Semiconductor BD442G Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Opakowanie
towar pakowany luzem
Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Typ obudowy półprzewodnika
TO-126
Wykonanie
PNP
Prąd kolektora I(C)
-4 A
Karta katalogowa (PDF)
200 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
50
-
4,16 zł
150
7% = 0,29 zł
3,87 zł
250
10% = 0,43 zł
3,73 zł
500
13% = 0,52 zł
3,64 zł
1000
15% = 0,62 zł
3,54 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Min.: 50
Vielfache: 50
Suma (4,16 zł / Sztuka)
208,00 zł
5,12 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Opakowanie
towar pakowany luzem
- Model katalogowy producenta
BD442G
- Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-126
- Producent
ON Semiconductor
- Wykonanie
PNP
- Prąd kolektora I(C)
-4 A
- Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
-80 V
- Moc (maks) P(TOT)
36 W
- Wzmocnienie DC - natężenie odniesienia hFE
15 µA
- Częstotliwość przejść f(T)
0.003 GHz
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Zawartość
1 szt.
- UKCA
tak
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 3027565 ON Semiconductor BD442G Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 3027565 ON Semiconductor BD442G Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.