Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
ON Semiconductor BDV64BG Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Opakowanie
tuba
Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Typ obudowy półprzewodnika
TO-247
Wykonanie
PNP
Prąd kolektora I(C)
10 A
Karta katalogowa (PDF)
160 Sztuki
Liczba
Min.: 30
Vielfache: 30
Suma (13,41 zł / Sztuka)
402,30 zł
16,49 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
Bezpłatna dostawa
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
Tranzystory mocy Darlingtona BD_ TO1
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Opakowanie
tuba
- Model katalogowy producenta
BDV64BG
- Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-247
- Producent
ON Semiconductor
- Wykonanie
PNP
- Prąd kolektora I(C)
10 A
- Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
100 V
- Moc (maks) P(TOT)
125 W
- Wzmocnienie DC - natężenie odniesienia hFE
1.000 µA
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Zawartość
1 szt.
- UKCA
tak
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 3027566 ON Semiconductor BDV64BG Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 3027566 ON Semiconductor BDV64BG Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.