ON Semiconductor MJE15030G Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Opakowanie
tuba
Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Typ obudowy półprzewodnika
TO-220
Wykonanie
NPN
Prąd kolektora I(C)
8 A
Karta katalogowa (PDF)
100 Sztuki
Liczba
Min.: 50
Vielfache: 50
Suma (4,07 zł / Sztuka)
4,56 zł
-11 %
203,50 zł
5,01 zł
z VAT (klient indywidualny)
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Opakowanie
tuba
- Model katalogowy producenta
MJE15030G
- Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-220
- Producent
ON Semiconductor
- Wykonanie
NPN
- Prąd kolektora I(C)
8 A
- Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
150 V
- Moc (maks) P(TOT)
50 W
- Wzmocnienie DC - natężenie odniesienia hFE
20 µA
- Częstotliwość przejść f(T)
0.030 GHz
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Zawartość
1 szt.
- UKCA
tak
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 3027551 ON Semiconductor MJE15030G Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 3027551 ON Semiconductor MJE15030G Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.