ON Semiconductor MJE15031G Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Opakowanie
tuba
Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Typ obudowy półprzewodnika
TO-220
Wykonanie
PNP
Prąd kolektora I(C)
8 A
Karta katalogowa (PDF)
300 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
50
-
8,85 zł
150
7% = 0,62 zł
8,23 zł
250
10% = 0,91 zł
7,94 zł
500
12% = 1,09 zł
7,76 zł
1000
15% = 1,31 zł
7,54 zł
2000
18% = 1,55 zł
7,30 zł
5000
20% = 1,81 zł
7,04 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Min.: 50
Vielfache: 50
Suma (8,85 zł / Sztuka)
442,50 zł
10,89 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
Bezpłatna dostawa
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Opakowanie
tuba
- Model katalogowy producenta
MJE15031G
- Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-220
- Producent
ON Semiconductor
- Wykonanie
PNP
- Prąd kolektora I(C)
8 A
- Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
150 V
- Moc (maks) P(TOT)
50 W
- Wzmocnienie DC - natężenie odniesienia hFE
20 µA
- Częstotliwość przejść f(T)
0.030 GHz
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Zawartość
1 szt.
- UKCA
tak
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 3027552 ON Semiconductor MJE15031G Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 3027552 ON Semiconductor MJE15031G Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.