ON Semiconductor MJH11017G Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Opakowanie
tuba
Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Typ obudowy półprzewodnika
TO-247
Wykonanie
PNP
Prąd kolektora I(C)
15 A
Karta katalogowa (PDF)
270 Sztuki
Liczba
Min.: 10
Vielfache: 10
Suma (18,77 zł / Sztuka)
187,70 zł
23,09 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
Tranzystory mocy ONS Darlington MJH
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Opakowanie
tuba
- Model katalogowy producenta
MJH11017G
- Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-247
- Producent
ON Semiconductor
- Wykonanie
PNP
- Prąd kolektora I(C)
15 A
- Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
150 V
- Moc (maks) P(TOT)
150 W
- Wzmocnienie DC - natężenie odniesienia hFE
400 µA
- Częstotliwość przejść f(T)
0.003 GHz
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Zawartość
1 szt.
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 3027583 ON Semiconductor MJH11017G Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 3027583 ON Semiconductor MJH11017G Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.