Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
ON Semiconductor MMBT2222A Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Typ obudowy półprzewodnika
SOT-23-3
Wykonanie
NPN
Prąd kolektora I(C)
1 A
Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
40 V
872 Sztuki (Tylko do wyczerpania zapasów)
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
1
-
0,24 zł
150
4% = 0,01 zł
0,23 zł
250
13% = 0,03 zł
0,21 zł
500
17% = 0,04 zł
0,20 zł
1000
21% = 0,05 zł
0,19 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Suma (0,24 zł / Sztuka)
0,24 zł
0,30 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
Tranzystor
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
MMBT2222A
- Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
- Typ obudowy półprzewodnika
SOT-23-3
- Producent
ON Semiconductor
- Kod producenta
OnS
- Ilość kanałów
1
- Wykonanie
NPN
- Prąd kolektora I(C)
1 A
- Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
40 V
- Saturacja VCE (maks.)
1 V
- Prąd upływu kolektora I(CES)
10 nA
- Moc (maks) P(TOT)
350 mW
- Wzmocnienie DC (hFE)
100
- Wzmocnienie DC - natężenie odniesienia hFE
150 mA
- Wzmocnienie DC - napięcie odniesienia hFE
10 V
- Częstotliwość przejść f(T)
300 MHz
- Sposób montażu
montaż na powierzchni
- Zawartość
1 szt.
Do pobrania
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 1264816 ON Semiconductor MMBT2222A Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
Opis
ON Semiconductor | MMBT2222A