ON Semiconductor MMBTH10LT1G Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Opakowanie
taśma na dużej rolce
Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Typ obudowy półprzewodnika
SOT-23
Wykonanie
NPN
Prąd kolektora I(C)
0.05 A
Karta katalogowa (PDF)
1200 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
100
-
0,25316 zł
300
6% = 0,02 zł
0,23769 zł
500
13% = 0,03 zł
0,22089 zł
1000
15% = 0,04 zł
0,21473 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Min.: 100
Vielfache: 100
Tape on Full reel
Sztuki (zawartość: )
Sztuki (zawartość: )
Suma (0,25316 zł / Sztuka)
25,32 zł
0,31139 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
Tranzystory małej mocy ONS SMD HF bi
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Opakowanie
taśma na dużej rolce
- Model katalogowy producenta
MMBTH10LT1G
- Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
- Typ obudowy półprzewodnika
SOT-23
- Producent
ON Semiconductor
- Wykonanie
NPN
- Prąd kolektora I(C)
0.05 A
- Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
25 V
- Moc (maks) P(TOT)
0.225 W
- Wzmocnienie DC - natężenie odniesienia hFE
60 µA
- Częstotliwość przejść f(T)
0.65 GHz
- Sposób montażu
montaż na powierzchni
- Zawartość
1 szt.
- UKCA
tak
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 3027594 ON Semiconductor MMBTH10LT1G Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 3027594 ON Semiconductor MMBTH10LT1G Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.