Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
ON Semiconductor PN2222ATA Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Typ obudowy półprzewodnika
TO-92-3
Wykonanie
NPN
Prąd kolektora I(C)
600 mA
Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
40 V
Karta katalogowa (PDF)
1157 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
20
-
0,45 zł
60
7% = 0,03 zł
0,42 zł
100
13% = 0,06 zł
0,39 zł
200
16% = 0,07 zł
0,38 zł
400
18% = 0,08 zł
0,37 zł
800
22% = 0,10 zł
0,35 zł
2000
27% = 0,12 zł
0,33 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Min.: 20
Suma (0,45 zł / Sztuka)
9,00 zł
0,55 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
Tranzystor
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
PN2222ATA
- Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-92-3
- Producent
ON Semiconductor
- Kod producenta
OnS
- Ilość kanałów
1
- Wykonanie
NPN
- Prąd kolektora I(C)
600 mA
- Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
40 V
- Saturacja VCE (maks.)
1 V
- Prąd upływu kolektora I(CES)
10 nA
- Moc (maks) P(TOT)
625 mW
- Wzmocnienie DC (hFE)
100
- Wzmocnienie DC - natężenie odniesienia hFE
150 mA
- Wzmocnienie DC - napięcie odniesienia hFE
10 V
- Częstotliwość przejść f(T)
300 MHz
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Zawartość
1 szt.
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 1265001 ON Semiconductor PN2222ATA Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 1265001 ON Semiconductor PN2222ATA Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
Opis
ON Semiconductor | PN2222ATA