Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
ON Semiconductor PN2222ATF Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Typ obudowy półprzewodnika
TO-92-3
Wykonanie
NPN
Prąd kolektora I(C)
1 A
Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
40 V
1106 Sztuki (Tylko do wyczerpania zapasów)
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
1
-
1,10 zł
90
6% = 0,07 zł
1,03 zł
150
13% = 0,14 zł
0,96 zł
300
15% = 0,17 zł
0,93 zł
600
18% = 0,20 zł
0,90 zł
1200
21% = 0,23 zł
0,87 zł
3000
26% = 0,29 zł
0,81 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Suma (1,10 zł / Sztuka)
1,10 zł
1,35 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
Tranzystor
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
PN2222ATF
- Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-92-3
- Producent
ON Semiconductor
- Kod producenta
OnS
- Ilość kanałów
1
- Wykonanie
NPN
- Prąd kolektora I(C)
1 A
- Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
40 V
- Saturacja VCE (maks.)
1 V
- Prąd upływu kolektora I(CES)
10 nA
- Moc (maks) P(TOT)
625 mW
- Wzmocnienie DC (hFE)
100
- Wzmocnienie DC - natężenie odniesienia hFE
150 mA
- Wzmocnienie DC - napięcie odniesienia hFE
10 V
- Częstotliwość przejść f(T)
300 MHz
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Zawartość
1 szt.
Do pobrania
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 1265002 ON Semiconductor PN2222ATF Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
Opis
ON Semiconductor | PN2222ATF