ON Semiconductor TIP110G Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Opakowanie
tuba
Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Typ obudowy półprzewodnika
TO-220
Wykonanie
NPN
Prąd kolektora I(C)
2 A
Karta katalogowa (PDF)
550 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
50
-
4,47 zł
150
7% = 0,32 zł
4,15 zł
250
10% = 0,45 zł
4,02 zł
500
12% = 0,55 zł
3,92 zł
1000
15% = 0,67 zł
3,80 zł
2000
17% = 0,78 zł
3,69 zł
5000
21% = 0,92 zł
3,55 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Min.: 50
Vielfache: 50
Suma (4,47 zł / Sztuka)
223,50 zł
5,50 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
Tranzystory mocy Darlington WSKAZÓWKA_ TO
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Opakowanie
tuba
- Model katalogowy producenta
TIP110G
- Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-220
- Producent
ON Semiconductor
- Wykonanie
NPN
- Prąd kolektora I(C)
2 A
- Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
60 V
- Moc (maks) P(TOT)
50 W
- Wzmocnienie DC - natężenie odniesienia hFE
500 µA
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Zawartość
1 szt.
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 3027595 ON Semiconductor TIP110G Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 3027595 ON Semiconductor TIP110G Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.