Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
ON Semiconductor Transoptor fototranzystor CNY173M DIP-6 tranzystor z podstawką DC
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
Transoptor fototranzystor
Typ obudowy półprzewodnika
DIP-6
Natężenie przewodzenia
60 mA
Odwrócone napięcie U(R)
6 V
Sposób montażu
do montażu w otworach
1325 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
100
-
1,86 zł
300
6% = 0,11 zł
1,75 zł
500
12% = 0,23 zł
1,63 zł
1000
15% = 0,28 zł
1,58 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Min.: 100
Suma (1,86 zł / Sztuka)
186,00 zł
2,29 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
Transoptor fototranzystor
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
CNY173M
- Rodzaj produktu
Transoptor fototranzystor
- Typ obudowy półprzewodnika
DIP-6
- Producent
ON Semiconductor
- Kod producenta
OnS
- Napięcie w kierunku przewodzeniaU(F) typ.
1.35 V
- Natężenie przewodzenia
60 mA
- Odwrócone napięcie U(R)
6 V
- Ilość kanałów
1
- Rodzaj wejścia
DC
- Rodzaj wyjścia
tranzystor z podstawką
- Napięcie izolacji
4170 V RMS
- Minimalna temperatura robocza
+100 °C
- Temperatura pracy (maks.)
-40 °C
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Napięcie U(F) min.
1 V
- Napięcie U(F) maks.
1.65 V
- Czas narastania
4 µs
- Czas rozpadu
3.5 µs
- Kanały prądu wyjściowego
50 mA
- Droga upływu
7 mm
- Moc (maks) P(TOT)
270 mW
- Maksymalne napięcie wyjściowe
70 V
- Szybkość przesyłania prądu (min.)
100 %
- Szybkość przesyłania prądu (min.) - natężenie odniesienia
10 mA
- Współczynnik przenikania (maks.)
200 %
- Saturacja VCE (maks.)
400 mV
- Zawartość
1 szt.
Opis
ON Semiconductor | CNY173M