Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
Tranzysor IGBT Infineon Technologies FP35R12W2T4BOMA1 N/A N/A
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Opakowanie
towar pakowany luzem
Rodzaj produktu
IGBT - moduł
Prąd kolektora I(C)
54 A
Sposób montażu
podwozie
Model katalogowy producenta
FP35R12W2T4BOMA1
Karta katalogowa (PDF)
8 Sztuki
Liczba
Suma (234,96 zł / Sztuka)
234,96 zł
289,00 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
Dostępnych jest tylko 8 sztuka
Cechy produktu
Tranzysor IGBT
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- (UGE(th)) Napięcie progowe nadajnika bramki: 5,8 V
- (ICpuls) Impulsowy prąd kolektora: 70 A
- Opakowanie
towar pakowany luzem
- Model katalogowy producenta
FP35R12W2T4BOMA1
- Rodzaj produktu
IGBT - moduł
- Producent
Infineon Technologies
- Napięcie kolektora-emitera U(CES)
1200 V
- Prąd kolektora I(C)
54 A
- Czas opóźnienia t(d)(on)
25 ns
- Opóźnienie wyłączenia t(d)(off)(2)
240 ns
- Sposób montażu
podwozie
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 3027163 Tranzysor IGBT Infineon Technologies FP35R12W2T4BOMA1 N/A N/A
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 3027163 Tranzysor IGBT Infineon Technologies FP35R12W2T4BOMA1 N/A N/A