Tranzysor IGBT Infineon Technologies IKW40N65F5FKSA1 N/A N/A | Conrad Electronic

Czarny tranzystor MOSFET dużej mocy z trzema metalowymi nogami od spodu, numer modelu 'K25T120', widok z tyłu z centralnym otworem mocującym.

Zdjęcie poglądowe

Czarny tranzystor MOSFET dużej mocy z trzema metalowymi nogami od spodu, numer modelu 'K25T120', widok z tyłu z centralnym otworem mocującym.

Zdjęcie poglądowe

Opakowanie

tuba

Rodzaj produktu

IGBT

Typ obudowy półprzewodnika

TO-247

Prąd kolektora I(C)

74 A

Sposób montażu

do montażu w otworach

Karta katalogowa (PDF)

English

Infineon Technologies

84 Sztuki

Ilość (sztuka)

Oszczędzasz

Cena opakowania (Cena netto)

Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy

Oszczędzasz 0,00 zł

Liczba

Sztuki

Suma (14,63 zł / Sztuka)

zł

17,99 zł

z VAT (klient indywidualny)

Zgłoś wątpliwości prawne

Dane techniczne

(UGE(th)) Napięcie progowe nadajnika bramki: 4,0 V
(ICpuls) Impulsowy prąd kolektora: 120 A

Opakowanie: tuba

Model katalogowy producenta: IKW40N65F5FKSA1

Rodzaj produktu: IGBT

Typ obudowy półprzewodnika: TO-247

Producent: Infineon Technologies

Napięcie kolektora-emitera U(CES): 650 V

Prąd kolektora I(C): 74 A

Czas opóźnienia t(d)(on): 19 ns

Opóźnienie wyłączenia t(d)(off)(2): 160 ns

Sposób montażu: do montażu w otworach

Do pobrania

Karta katalogowa

English

Karta katalogowa 3027196 Tranzysor IGBT Infineon Technologies IKW40N65F5FKSA1 N/A N/A