Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
Tranzystor IGBT Infineon Infineon Technologies SGW25N120 Fast S-IGBT Rodzaj obudowy TO-247 N/A N/A SGW25N120
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
IGBT
Typ obudowy półprzewodnika
TO247-3-PG
Prąd kolektora I(C)
46 A
Moc (maks) P(TOT)
313 W
Sposób montażu
do montażu w otworach
Karta katalogowa (PDF)
406 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
1
-
46,33 zł
3
6% = 2,56 zł
43,77 zł
5
8% = 3,59 zł
42,74 zł
10
9% = 4,26 zł
42,07 zł
25
11% = 5,03 zł
41,30 zł
50
13% = 5,88 zł
40,45 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Suma (46,33 zł / Sztuka)
zł
56,99 zł
z VAT (klient indywidualny)
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
SGW25N120
- Rodzaj produktu
IGBT
- Typ obudowy półprzewodnika
TO247-3-PG
- Producent
Infineon Technologies
- Kod producenta
INF
- Konfiguracja
Pojedynczy
- Napięcie kolektora-emitera U(CES)
1200 V
- Prąd kolektora I(C)
46 A
- I (CM)
84 A
- Saturacja VCE (maks.)
3.6 V
- Moc (maks) P(TOT)
313 W
- Rodzaj wejścia
Standardowa
- Czas opóźnienia t(d)(on)
45 ns
- Opóźnienie wyłączenia t(d)(off)(2)
730 ns
- Prąd upływu kolektora I(CES)
350 µA
- Pojemność wejściowa
2600 pF
- Q(G)
225 nC
- Wykonanie
NPT
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Specyfikacja
Fast S-IGBT
- Prąd ciągły
(25°C) 50 A
- Typ
SGW25N120
- Rodzaj obudowy
TO-247
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 154127 Tranzystor IGBT Infineon Infineon Technologies SGW25N120 Fast S-IGBT Rodzaj obudowy TO-247 N/A N/A SGW25N120
Opis
Infineon Technologies SGW25N120 |