Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
Tranzystor 2N BD ON Semiconductor BD809 NPN Rodzaj obudowy TO-220AB N/A N/A
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Typ obudowy półprzewodnika
TO-220AB
Wykonanie
NPN
Prąd kolektora I(C)
10 A
Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
80 V
Karta katalogowa (PDF)
10 Sztuki (Tylko do wyczerpania zapasów)
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
3
-
4,81 zł
9
7% = 0,34 zł
4,47 zł
15
10% = 0,49 zł
4,32 zł
30
12% = 0,59 zł
4,22 zł
60
15% = 0,71 zł
4,10 zł
120
17% = 0,84 zł
3,97 zł
300
20% = 0,98 zł
3,83 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Min.: 3
Suma (4,81 zł / Sztuka)
14,43 zł
5,92 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
Dostępnych jest tylko 10 sztuka
Cechy produktu
Tranzystor 2N BD
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
BD809
- Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-220AB
- Producent
ON Semiconductor
- Ilość kanałów
1
- Wykonanie
NPN
- Prąd kolektora I(C)
10 A
- Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
80 V
- Saturacja VCE (maks.)
1.1 V
- Prąd upływu kolektora I(CES)
1 mA
- Moc (maks) P(TOT)
90 W
- Wzmocnienie DC (hFE)
15
- Wzmocnienie DC - natężenie odniesienia hFE
4 A
- Wzmocnienie DC - napięcie odniesienia hFE
2 V
- Częstotliwość przejść f(T)
1.5 MHz
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Zawartość
1 szt.
- Specyfikacja
NPN
- Typ
BD809
- Rodzaj obudowy
TO-220AB
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 156400 Tranzystor 2N BD ON Semiconductor BD809 NPN Rodzaj obudowy TO-220AB N/A N/A
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 156400 Tranzystor 2N BD ON Semiconductor BD809 NPN Rodzaj obudowy TO-220AB N/A N/A