Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
Tranzystor 2N BD ON Semiconductor BD810G PNP Rodzaj obudowy TO-220AB N/A N/A
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Typ obudowy półprzewodnika
TO-220AB
Wykonanie
PNP
Prąd kolektora I(C)
-10 A
Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
-80 V
Karta katalogowa (PDF)
182 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
2
-
3,59 zł
6
7% = 0,26 zł
3,33 zł
10
10% = 0,37 zł
3,22 zł
20
13% = 0,45 zł
3,14 zł
40
15% = 0,53 zł
3,06 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Min.: 2
Suma (3,59 zł / Sztuka)
7,18 zł
4,42 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
Tranzystor 2N BD
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
BD810G
- Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-220AB
- Producent
ON Semiconductor
- Kod producenta
OnS
- Ilość kanałów
1
- Wykonanie
PNP
- Prąd kolektora I(C)
-10 A
- Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
-80 V
- Saturacja VCE (maks.)
-1.1 V
- Prąd upływu kolektora I(CES)
-1 mA
- Moc (maks) P(TOT)
90 W
- Wzmocnienie DC (hFE)
15
- Wzmocnienie DC - natężenie odniesienia hFE
-4 A
- Wzmocnienie DC - napięcie odniesienia hFE
-2 V
- Częstotliwość przejść f(T)
1.5 MHz
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Zawartość
1 szt.
- Specyfikacja
PNP
- Typ
BD810
- Rodzaj obudowy
TO-220AB
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 156418 Tranzystor 2N BD ON Semiconductor BD810G PNP Rodzaj obudowy TO-220AB N/A N/A
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 156418 Tranzystor 2N BD ON Semiconductor BD810G PNP Rodzaj obudowy TO-220AB N/A N/A
Opis
ON Semiconductor | BD810G