Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
Tranzystor 2N Diotec Diotec BC857C PNP Rodzaj obudowy SOT-23 N/A N/A
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Opakowanie
taśma cięta
Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Typ obudowy półprzewodnika
SOT-23
Wykonanie
PNP
Prąd kolektora I(C)
-100 mA
Karta katalogowa (PDF)
1324 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
150
-
0,08 zł
450
12% = 0,01 zł
0,07 zł
750
25% = 0,02 zł
0,06 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Min.: 150
Suma (0,08 zł / Sztuka)
12,00 zł
0,10 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
Tranzystor 2N Diotec
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Opakowanie
taśma cięta
- Model katalogowy producenta
BC857C
- Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
- Typ obudowy półprzewodnika
SOT-23
- Producent
Diotec
- Kod producenta
DIO
- Ilość kanałów
1
- Wykonanie
PNP
- Prąd kolektora I(C)
-100 mA
- Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
-45 V
- Saturacja VCE (maks.)
-650 mV
- Prąd upływu kolektora I(CES)
-15 nA
- Moc (maks) P(TOT)
250 mW
- Seria (elementu półprzewodnikowego)
Technique automobile/AEC-Q101
- Wzmocnienie DC (hFE)
420
- Wzmocnienie DC - natężenie odniesienia hFE
-2 mA
- Wzmocnienie DC - napięcie odniesienia hFE
-5 V
- Częstotliwość przejść f(T)
100 MHz
- Sposób montażu
montaż na powierzchni
- Zgodne z RoHS
Tak
- Zawartość
1 szt.
- Specyfikacja
PNP
- Typ
BC857C
- Rodzaj obudowy
SOT-23
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 140541 Tranzystor 2N Diotec Diotec BC857C PNP Rodzaj obudowy SOT-23 N/A N/A
Opis
Diotec BC857C | Tranzystor PNP Gen. Purpose SOT-232.