Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
Tranzystor 2N Infineon Infineon Technologies BSS83P Kanał P Rodzaj obudowy SOT-23 N/A N/A BSS83P
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
MOSFET
Typ obudowy półprzewodnika
TO-236-3
Wykonanie
Kanał-P
Moc (maks) P(TOT)
360 mW
R(DS) wł.
2 Ω
Karta katalogowa (PDF)
22140 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
10
-
1,01 zł
30
7% = 0,07 zł
0,94 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Min.: 10
Suma (1,01 zł / Sztuka)
10,10 zł
1,24 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
Tranzystor 2N Infineon
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
BSS83P
- Rodzaj produktu
MOSFET
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-236-3
- Producent
Infineon Technologies
- Kod producenta
INF
- Wykonanie
Kanał-P
- I(d)
330 mA
- Napięcie niszczące U(BR) (DSS)
60 V
- Moc (maks) P(TOT)
360 mW
- R(DS) wł.
2 Ω
- Natężenie odniesienia R(DS)(on)
330 mA
- Napięcie odniesienia R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
2 V
- Natężenie odniesienia maks U (GS)(th)
80 µA
- Q(G)
3.57 nC
- Napięcie odniesienia Q(G)
10 V
- C(ISS)
78 pF
- Napięcie odniesienia C(ISS)
25 V
- Minimalna temperatura robocza
-55 °C
- Sposób montażu
montaż na powierzchni
- Seria (elementu półprzewodnikowego)
SIPMOS®
- Temperatura pracy (maks.)
+150 °C
- Cecha tranzystora
Poziom bramki logicznej
- U(DSS)
60 V
- Ilość kanałów
1
- Zawartość
1 szt.
- Specyfikacja
Kanał P
- Typ
BSS83P
- Rodzaj obudowy
SOT-23
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 153047 Tranzystor 2N Infineon Infineon Technologies BSS83P Kanał P Rodzaj obudowy SOT-23 N/A N/A BSS83P
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 153047 Tranzystor 2N Infineon Infineon Technologies BSS83P Kanał P Rodzaj obudowy SOT-23 N/A N/A BSS83P
Opis
Infineon Technologies BSS83P |