Tranzystor 2N Infineon Infineon Technologies BSS84P Kanał P Rodzaj obudowy SOT-23 N/A N/A BSS84P

Cechy produktu

Tranzystor 2N Infineon

Dodatkowe informacje:

Dane techniczne

Model katalogowy producenta: BSS84P

Rodzaj produktu: MOSFET

Typ obudowy półprzewodnika: TO-236-3

Producent: Infineon Technologies

Kod producenta: INF

Wykonanie: Kanał-P

I(d): 170 mA

Napięcie niszczące U(BR) (DSS): 60 V

Moc (maks) P(TOT): 360 mW

R(DS) wł.: 8 Ω

Natężenie odniesienia R(DS)(on): 170 mA

Napięcie odniesienia R(DS)(on): 10 V

U(GS)(th) max.: 2 V

Natężenie odniesienia maks U (GS)(th): 20 µA

Q(G): 1.5 nC

Napięcie odniesienia Q(G): 10 V

C(ISS): 19 pF

Napięcie odniesienia C(ISS): 25 V

Minimalna temperatura robocza: -55 °C

Sposób montażu: montaż na powierzchni

Seria (elementu półprzewodnikowego): SIPMOS®

Temperatura pracy (maks.): +150 °C

Cecha tranzystora: Poziom bramki logicznej

U(DSS): 60 V

Ilość kanałów: 1

Zawartość: 1 szt.

Specyfikacja: Kanał P

Typ: BSS84P

Rodzaj obudowy: SOT-23

Do pobrania

Karta katalogowa

Karta katalogowa 153060 Tranzystor 2N Infineon Infineon Technologies BSS84P Kanał P Rodzaj obudowy SOT-23 N/A N/A BSS84P

Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa

Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 153060 Tranzystor 2N Infineon Infineon Technologies BSS84P Kanał P Rodzaj obudowy SOT-23 N/A N/A BSS84P

Często wyszukiwane Tranzystory polowe MOSFET:

Tranzystory polowe MOSFET z kanałem N
Tranzystory polowe MOSFET z kanałem P