Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
Tranzystor 2N NXP Nexperia BC856BW,115 PNP Rodzaj obudowy SOT-323 N/A N/A
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Opakowanie
taśma cięta
Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Typ obudowy półprzewodnika
SOT-323
Wykonanie
PNP
Prąd kolektora I(C)
-100 mA
Karta katalogowa (PDF)
736 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
30
-
0,26 zł
90
8% = 0,02 zł
0,24 zł
150
12% = 0,03 zł
0,23 zł
300
15% = 0,04 zł
0,22 zł
600
19% = 0,05 zł
0,21 zł
1200
23% = 0,06 zł
0,20 zł
3000
27% = 0,07 zł
0,19 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Min.: 30
Suma (0,26 zł / Sztuka)
7,80 zł
0,32 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
Tranzystor 2N NXP
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Opakowanie
taśma cięta
- Model katalogowy producenta
BC856BW,115
- Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
- Typ obudowy półprzewodnika
SOT-323
- Producent
Nexperia
- Kod producenta
NEX
- Ilość kanałów
1
- Wykonanie
PNP
- Prąd kolektora I(C)
-100 mA
- Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
-65 V
- Saturacja VCE (maks.)
-600 mV
- Prąd upływu kolektora I(CES)
-15 nA
- Moc (maks) P(TOT)
200 mW
- Seria (elementu półprzewodnikowego)
Technique automobile/AEC-Q101
- Wzmocnienie DC (hFE)
220
- Wzmocnienie DC - natężenie odniesienia hFE
-2 mA
- Wzmocnienie DC - napięcie odniesienia hFE
-5 V
- Częstotliwość przejść f(T)
100 MHz
- Sposób montażu
montaż na powierzchni
- Zawartość
1 szt.
- Specyfikacja
PNP
- Typ
BC856
- Rodzaj obudowy
SOT-323
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 153000 Tranzystor 2N NXP Nexperia BC856BW,115 PNP Rodzaj obudowy SOT-323 N/A N/A
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 153000 Tranzystor 2N NXP Nexperia BC856BW,115 PNP Rodzaj obudowy SOT-323 N/A N/A
Opis
Nexperia BC856 |