Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
Tranzystor 2N ON NXP Semiconductors PHE13009,127 NPN Rodzaj obudowy TO-220AB N/A N/A
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Typ obudowy półprzewodnika
TO-220AB
Wykonanie
NPN
Prąd kolektora I(C)
12 A
Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
400 V
Karta katalogowa (PDF)
54 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
1
-
6,68 zł
10
7% = 0,47 zł
6,21 zł
25
10% = 0,68 zł
6,00 zł
50
12% = 0,83 zł
5,85 zł
100
15% = 0,99 zł
5,69 zł
500
18% = 1,17 zł
5,51 zł
1000
21% = 1,37 zł
5,31 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Suma (6,68 zł / Sztuka)
6,68 zł
8,22 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
Tranzystor 2N ON
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
PHE13009,127
- Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-220AB
- Producent
NXP Semiconductors
- Kod producenta
NXP
- Ilość kanałów
1
- Wykonanie
NPN
- Prąd kolektora I(C)
12 A
- Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
400 V
- Saturacja VCE (maks.)
2 V
- Prąd upływu kolektora I(CES)
100 µA
- Moc (maks) P(TOT)
80 W
- Wzmocnienie DC (hFE)
8
- Wzmocnienie DC - natężenie odniesienia hFE
5 A
- Wzmocnienie DC - napięcie odniesienia hFE
5 V
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Zawartość
1 szt.
- Specyfikacja
NPN
- Typ
PHE13009,127
- Rodzaj obudowy
TO-220AB
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 150857 Tranzystor 2N ON NXP Semiconductors PHE13009,127 NPN Rodzaj obudowy TO-220AB N/A N/A
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 150857 Tranzystor 2N ON NXP Semiconductors PHE13009,127 NPN Rodzaj obudowy TO-220AB N/A N/A
Opis
NXP Semiconductors | PHE13009,127