Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
Tranzystor 2N ON ON Semiconductor MJE13007 NPN Rodzaj obudowy TO-220AB N/A N/A
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Typ obudowy półprzewodnika
TO-220AB
Wykonanie
NPN
Prąd kolektora I(C)
8 A
Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
400 V
6 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
3
-
5,67 zł
9
7% = 0,39 zł
5,28 zł
15
10% = 0,58 zł
5,09 zł
30
12% = 0,70 zł
4,97 zł
60
15% = 0,84 zł
4,83 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Min.: 3
Suma (5,67 zł / Sztuka)
17,01 zł
6,97 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
Dostępnych jest tylko 6 sztuka
Cechy produktu
Tranzystor 2N ON
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
MJE13007G
- Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-220AB
- Producent
ON Semiconductor
- Kod producenta
OnS
- Ilość kanałów
1
- Wykonanie
NPN
- Prąd kolektora I(C)
8 A
- Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
400 V
- Saturacja VCE (maks.)
3 V
- Prąd upływu kolektora I(CES)
100 µA
- Moc (maks) P(TOT)
80 W
- Seria (elementu półprzewodnikowego)
SWITCHMODE™
- Wzmocnienie DC (hFE)
5
- Wzmocnienie DC - natężenie odniesienia hFE
5 A
- Wzmocnienie DC - napięcie odniesienia hFE
5 V
- Częstotliwość przejść f(T)
14 MHz
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Zawartość
1 szt.
- Specyfikacja
NPN
- Typ
MJE13007
- Rodzaj obudowy
TO-220AB
Do pobrania
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 151208 Tranzystor 2N ON ON Semiconductor MJE13007 NPN Rodzaj obudowy TO-220AB N/A N/A
Opis
ON Semiconductor | MJE13007