Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
Tranzystor 2N ST Microelectronics BDW93C
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Typ obudowy półprzewodnika
TO-220AB
Wykonanie
NPN - Darlington
Prąd kolektora I(C)
12 A
Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
100 V
Karta katalogowa (PDF)
4445 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
3
-
4,81 zł
9
7% = 0,34 zł
4,47 zł
15
10% = 0,49 zł
4,32 zł
30
12% = 0,59 zł
4,22 zł
60
15% = 0,71 zł
4,10 zł
120
17% = 0,84 zł
3,97 zł
300
20% = 0,98 zł
3,83 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Min.: 3
Suma (4,81 zł / Sztuka)
14,43 zł
5,92 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
Tranzystor 2N ST
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
BDW93C
- Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-220AB
- Producent
STMicroelectronics
- Kod producenta
STM
- Ilość kanałów
1
- Wykonanie
NPN - Darlington
- Prąd kolektora I(C)
12 A
- Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
100 V
- Saturacja VCE (maks.)
3 V
- Prąd upływu kolektora I(CES)
1 mA
- Moc (maks) P(TOT)
80 W
- Wzmocnienie DC (hFE)
750
- Wzmocnienie DC - natężenie odniesienia hFE
5 A
- Wzmocnienie DC - napięcie odniesienia hFE
3 V
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Zawartość
1 szt.
- Specyfikacja
NPN
- Typ
BDW93C
- Rodzaj obudowy
TO-220AB
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 155431 Tranzystor 2N ST Microelectronics BDW93C
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 155431 Tranzystor 2N ST Microelectronics BDW93C
Opis
STMicroelectronics BDW93C |