Tranzystor 2N ST Microelectronics MJE350
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Typ obudowy półprzewodnika
SOT-32-3
Wykonanie
PNP
Prąd kolektora I(C)
-500 mA
Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
-300 V
Karta katalogowa (PDF)
121 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
5
-
2,20 zł
15
6% = 0,13 zł
2,07 zł
25
13% = 0,28 zł
1,92 zł
50
15% = 0,33 zł
1,87 zł
100
18% = 0,40 zł
1,80 zł
200
21% = 0,46 zł
1,74 zł
500
26% = 0,57 zł
1,63 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Min.: 5
Suma (2,20 zł / Sztuka)
11,00 zł
2,71 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
Tranzystor 2N ST
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
MJE350
- Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
- Typ obudowy półprzewodnika
SOT-32-3
- Producent
STMicroelectronics
- Kod producenta
STM
- Ilość kanałów
1
- Wykonanie
PNP
- Prąd kolektora I(C)
-500 mA
- Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
-300 V
- Saturacja VCE (maks.)
-500 mV
- Prąd upływu kolektora I(CES)
-100 µA
- Moc (maks) P(TOT)
20.8 W
- Wzmocnienie DC (hFE)
30
- Wzmocnienie DC - natężenie odniesienia hFE
-50 mA
- Wzmocnienie DC - napięcie odniesienia hFE
-10 V
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Zawartość
1 szt.
- Specyfikacja
PNP
- Typ
MJE350
- Rodzaj obudowy
SOT-32
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 156086 Tranzystor 2N ST Microelectronics MJE350
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 156086 Tranzystor 2N ST Microelectronics MJE350
Opis
STMicroelectronics MJE350 |