• Platform for Everything Technical
  • Szybka dostawa
  • Szeroki wybór usług i produktów
  • Gwarantowana możliwość zwrotu

Tranzystor 2N ST Microelectronics MJE350

Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Typ obudowy półprzewodnika
SOT-32-3
Wykonanie
PNP
Prąd kolektora I(C)
-500 mA
Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
-300 V
Karta katalogowa (PDF)
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Dostawa w wt. 10.11

116 Sztuki

Liczba
Min.: 5
Suma (3,03 zł / Sztuka)
3,03 zł
2,46 zł
bez VAT (klient biznesowy)
Wewnątrzwspólnotowa dostawa towarów Cena brutto 
bez 19,99 zł 
prav.priceAvailability.ecoparticipation.cost ...
prav.priceAvailability.privatecopyingfee.cost ...
bez dodatkowych kosztów dostawy 
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie

Cechy produktu

Tranzystor 2N ST

Dodatkowe informacje:

Dane techniczne

Model katalogowy producenta

MJE350

Rodzaj produktu

Tranzystor (BJT) - dykretny

Typ obudowy półprzewodnika

SOT-32-3

Producent

STMicroelectronics

Kod producenta

STM

Ilość kanałów

1

Wykonanie

PNP

Prąd kolektora I(C)

-500 mA

Napięcie kolektor - emiter U(CEO)

-300 V

Saturacja VCE (maks.)

-500 mV

Prąd upływu kolektora I(CES)

-100 µA

Moc (maks) P(TOT)

20.8 W

Wzmocnienie DC (hFE)

30

Wzmocnienie DC - natężenie odniesienia hFE

-50 mA

Wzmocnienie DC - napięcie odniesienia hFE

-10 V

Sposób montażu

do montażu w otworach

Zawartość

1 szt.

Specyfikacja

PNP

Typ

MJE350

Rodzaj obudowy

SOT-32

Do pobrania

Karta katalogowa

Karta katalogowa 156086 Tranzystor 2N ST Microelectronics MJE350

Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa

Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 156086 Tranzystor 2N ST Microelectronics MJE350

Opis

STMicroelectronics MJE350 |

Często kupowane razem

(* Podane ceny są cenami netto)
Suma:

58,49 zł*

Akcesoria

(* Podane ceny są cenami netto)

Do korzystania z produktu zgodnie z przeznaczeniem wymagane są niezbędne akcesoria

Ostatnio oglądane

(* Podane ceny są cenami netto)