Tranzystor 2N ST STMicroelectronics BD139 NPN Rodzaj obudowy SOT-32 N/A N/A
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Typ obudowy półprzewodnika
SOT-32
Wykonanie
NPN
Prąd kolektora I(C)
1.5 A
Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
80 V
Karta katalogowa (PDF)
177 Sztuki (Tylko do wyczerpania zapasów)
Liczba
Suma (0,46 zł / Sztuka)
0,80 zł
-43 %
0,46 zł
0,57 zł
z VAT (klient indywidualny)
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
Tranzystor 2N ST
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
BD139
- Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
- Typ obudowy półprzewodnika
SOT-32
- Producent
STMicroelectronics
- Kod producenta
STM
- Ilość kanałów
1
- Wykonanie
NPN
- Prąd kolektora I(C)
1.5 A
- Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
80 V
- Saturacja VCE (maks.)
500 mV
- Prąd upływu kolektora I(CES)
100 nA
- Moc (maks) P(TOT)
1.25 W
- Wzmocnienie DC (hFE)
40
- Wzmocnienie DC - natężenie odniesienia hFE
150 mA
- Wzmocnienie DC - napięcie odniesienia hFE
2 V
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Zawartość
1 szt.
- Specyfikacja
NPN
- Typ
BD139
- Rodzaj obudowy
SOT-32
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 155405 Tranzystor 2N ST STMicroelectronics BD139 NPN Rodzaj obudowy SOT-32 N/A N/A
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 155405 Tranzystor 2N ST STMicroelectronics BD139 NPN Rodzaj obudowy SOT-32 N/A N/A
Opis
STMicroelectronics BD139 |