Tranzystor 2N ST STMicroelectronics BD682 PNP Rodzaj obudowy SOT-32 N/A N/A
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Typ obudowy półprzewodnika
SOT-32-3
Wykonanie
PNP - Darlington
Prąd kolektora I(C)
-4 A
Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
-100 V
Karta katalogowa (PDF)
83 Sztuki
Liczba
Min.: 5
Suma (1,13 zł / Sztuka)
5,65 zł
1,39 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
Tranzystor 2N ST
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
BD682
- Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
- Typ obudowy półprzewodnika
SOT-32-3
- Producent
STMicroelectronics
- Kod producenta
STM
- Ilość kanałów
1
- Wykonanie
PNP - Darlington
- Prąd kolektora I(C)
-4 A
- Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
-100 V
- Saturacja VCE (maks.)
-2.5 V
- Prąd upływu kolektora I(CES)
-500 µA
- Moc (maks) P(TOT)
40 W
- Wzmocnienie DC (hFE)
750
- Wzmocnienie DC - natężenie odniesienia hFE
-1.5 A
- Wzmocnienie DC - napięcie odniesienia hFE
-3 V
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Zawartość
1 szt.
- Specyfikacja
PNP
- Typ
BD682
- Rodzaj obudowy
SOT-32
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 155428 Tranzystor 2N ST STMicroelectronics BD682 PNP Rodzaj obudowy SOT-32 N/A N/A
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 155428 Tranzystor 2N ST STMicroelectronics BD682 PNP Rodzaj obudowy SOT-32 N/A N/A
Opis
STMicroelectronics BD682 |