Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
Tranzystor bipolarny ON Semiconductor MJ 802, NPN, TO 3, I(C) 30 A, U(CEO) 90 V
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Typ obudowy półprzewodnika
TO-3
Wykonanie
NPN
Prąd kolektora I(C)
30 A
Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
90 V
Karta katalogowa (PDF)
13 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
1
-
26,09 zł
5
6% = 1,59 zł
24,50 zł
10
8% = 1,96 zł
24,13 zł
25
9% = 2,38 zł
23,71 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Suma (26,09 zł / Sztuka)
26,09 zł
32,09 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
Tranzystor bipolarny ON
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
MJ802
- Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-3
- Producent
ON Semiconductor
- Kod producenta
OnS
- Ilość kanałów
1
- Wykonanie
NPN
- Prąd kolektora I(C)
30 A
- Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
90 V
- Saturacja VCE (maks.)
800 mV
- Prąd upływu kolektora I(CES)
1 mA
- Moc (maks) P(TOT)
200 W
- Wzmocnienie DC (hFE)
25
- Wzmocnienie DC - natężenie odniesienia hFE
7.5 A
- Wzmocnienie DC - napięcie odniesienia hFE
2 V
- Częstotliwość przejść f(T)
2 MHz
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Zawartość
1 szt.
- Specyfikacja
NPN
- Typ
MJ802
- Rodzaj obudowy
TO-3
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 151142 Tranzystor bipolarny ON Semiconductor MJ 802, NPN, TO 3, I(C) 30 A, U(CEO) 90 V
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 151142 Tranzystor bipolarny ON Semiconductor MJ 802, NPN, TO 3, I(C) 30 A, U(CEO) 90 V
Opis
ON Semiconductor | MJ802