Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
Tranzystor bipolary ST Microelectronics BD 139-10, NPN, TO 126, I(C) 1.5 A, U(CEO) 80 V
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Typ obudowy półprzewodnika
SOT-32
Wykonanie
NPN
Prąd kolektora I(C)
1.5 A
Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
80 V
Karta katalogowa (PDF)
287 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
10
-
1,35 zł
30
6% = 0,08 zł
1,27 zł
50
13% = 0,17 zł
1,18 zł
100
15% = 0,20 zł
1,15 zł
200
18% = 0,24 zł
1,11 zł
400
21% = 0,28 zł
1,07 zł
1000
26% = 0,35 zł
1,00 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Min.: 10
Suma (1,35 zł / Sztuka)
13,50 zł
1,66 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
Tranzystor bipolary ST
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
BD139-10
- Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
- Typ obudowy półprzewodnika
SOT-32
- Producent
STMicroelectronics
- Kod producenta
STM
- Ilość kanałów
1
- Wykonanie
NPN
- Prąd kolektora I(C)
1.5 A
- Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
80 V
- Saturacja VCE (maks.)
500 mV
- Prąd upływu kolektora I(CES)
100 nA
- Moc (maks) P(TOT)
1.25 W
- Wzmocnienie DC (hFE)
40
- Wzmocnienie DC - natężenie odniesienia hFE
150 mA
- Wzmocnienie DC - napięcie odniesienia hFE
2 V
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Zawartość
1 szt.
- Specyfikacja
NPN
- Typ
BD139-10
- Rodzaj obudowy
TO-126
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 151089 Tranzystor bipolary ST Microelectronics BD 139-10, NPN, TO 126, I(C) 1.5 A, U(CEO) 80 V
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 151089 Tranzystor bipolary ST Microelectronics BD 139-10, NPN, TO 126, I(C) 1.5 A, U(CEO) 80 V
Opis
STMicroelectronics BD139-10 |
Uwagi
Producent SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.