Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
Tranzystor FET 2N International Rectifier IRF3205Z
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
MOSFET
Typ obudowy półprzewodnika
TO-220AB
Wykonanie
Kanał-N
Moc (maks) P(TOT)
170 W
R(DS) wł.
6.5 mΩ
Karta katalogowa (PDF)
193 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
1
-
4,75 zł
10
7% = 0,34 zł
4,41 zł
25
10% = 0,49 zł
4,26 zł
50
12% = 0,59 zł
4,16 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Suma (4,75 zł / Sztuka)
4,75 zł
5,84 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
Tranzystor FET
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
IRF3205ZPBF
- Rodzaj produktu
MOSFET
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-220AB
- Producent
Infineon Technologies
- Kod producenta
INF
- Wykonanie
Kanał-N
- I(d)
75 A
- Napięcie niszczące U(BR) (DSS)
55 V
- Moc (maks) P(TOT)
170 W
- R(DS) wł.
6.5 mΩ
- Natężenie odniesienia R(DS)(on)
66 A
- Napięcie odniesienia R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- Natężenie odniesienia maks U (GS)(th)
250 µA
- Q(G)
110 nC
- Napięcie odniesienia Q(G)
10 V
- C(ISS)
3450 pF
- Napięcie odniesienia C(ISS)
25 V
- Minimalna temperatura robocza
-55 °C
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Seria (elementu półprzewodnikowego)
HEXFET®
- Temperatura pracy (maks.)
+175 °C
- Cecha tranzystora
standardowy
- U(DSS)
55 V
- Ilość kanałów
1
- Zawartość
1 szt.
- Specyfikacja
Kanał N
- Typ
IRF3205Z
- Opis
55 V/110 A
- Rodzaj obudowy
TO-220AB
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 164338 Tranzystor FET 2N International Rectifier IRF3205Z
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 164338 Tranzystor FET 2N International Rectifier IRF3205Z
Opis
Infineon Technologies IRF3205ZPBF |