Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
Tranzystor FET 2N International Rectifier IRF710
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
MOSFET
Typ obudowy półprzewodnika
TO-220AB
Wykonanie
Kanał-N
Moc (maks) P(TOT)
36 W
R(DS) wł.
3.6 Ω
Karta katalogowa (PDF)
46 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
5
-
3,02 zł
15
7% = 0,22 zł
2,80 zł
25
10% = 0,31 zł
2,71 zł
50
13% = 0,38 zł
2,64 zł
100
15% = 0,45 zł
2,57 zł
200
18% = 0,53 zł
2,49 zł
500
21% = 0,62 zł
2,40 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Min.: 5
Suma (3,02 zł / Sztuka)
15,10 zł
3,71 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
Tranzystor FET
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
IRF710PBF
- Rodzaj produktu
MOSFET
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-220AB
- Producent
Vishay
- Kod producenta
VIS
- Wykonanie
Kanał-N
- I(d)
2 A
- Napięcie niszczące U(BR) (DSS)
400 V
- Moc (maks) P(TOT)
36 W
- R(DS) wł.
3.6 Ω
- Natężenie odniesienia R(DS)(on)
1.2 A
- Napięcie odniesienia R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- Natężenie odniesienia maks U (GS)(th)
250 µA
- Q(G)
17 nC
- Napięcie odniesienia Q(G)
10 V
- C(ISS)
170 pF
- Napięcie odniesienia C(ISS)
25 V
- Minimalna temperatura robocza
-55 °C
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Temperatura pracy (maks.)
+150 °C
- Cecha tranzystora
standardowy
- U(DSS)
400 V
- Ilość kanałów
1
- Zawartość
1 szt.
- Specyfikacja
Kanał N
- Typ
IRF710
- Opis
400 V/2 A
- Rodzaj obudowy
TO-220
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 162429 Tranzystor FET 2N International Rectifier IRF710
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 162429 Tranzystor FET 2N International Rectifier IRF710
Opis
Vishay IRF710PBF |