Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
Tranzystor FET 2N International Rectifier IRF830
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
MOSFET
Typ obudowy półprzewodnika
TO-220AB
Wykonanie
Kanał-N
Moc (maks) P(TOT)
74 W
R(DS) wł.
1.5 Ω
Karta katalogowa (PDF)
30 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
1
-
5,74 zł
10
7% = 0,41 zł
5,33 zł
25
10% = 0,59 zł
5,15 zł
50
13% = 0,72 zł
5,02 zł
100
15% = 0,85 zł
4,89 zł
500
18% = 1,01 zł
4,73 zł
1000
21% = 1,18 zł
4,56 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Suma (5,74 zł / Sztuka)
zł
7,06 zł
z VAT (klient indywidualny)
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
IRF830PBF
- Rodzaj produktu
MOSFET
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-220AB
- Producent
Vishay
- Kod producenta
VIS
- Wykonanie
Kanał-N
- I(d)
4.5 A
- Napięcie niszczące U(BR) (DSS)
500 V
- Moc (maks) P(TOT)
74 W
- R(DS) wł.
1.5 Ω
- Natężenie odniesienia R(DS)(on)
2.7 A
- Napięcie odniesienia R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- Natężenie odniesienia maks U (GS)(th)
250 µA
- Q(G)
38 nC
- Napięcie odniesienia Q(G)
10 V
- C(ISS)
610 pF
- Napięcie odniesienia C(ISS)
25 V
- Minimalna temperatura robocza
-55 °C
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Temperatura pracy (maks.)
+150 °C
- Cecha tranzystora
standardowy
- U(DSS)
500 V
- Ilość kanałów
1
- Zawartość
1 szt.
- Specyfikacja
Kanał N
- Typ
IRF830
- Opis
500 V/4.5 A
- Rodzaj obudowy
TO-220AB
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 162522 Tranzystor FET 2N International Rectifier IRF830
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 162522 Tranzystor FET 2N International Rectifier IRF830
Opis
Vishay IRF830PBF |