Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
Tranzystor FET 2N International Rectifier IRF9530N
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
MOSFET
Typ obudowy półprzewodnika
TO-220
Wykonanie
Kanał-P
Moc (maks) P(TOT)
79 W
R(DS) wł.
200 mΩ
Karta katalogowa (PDF)
85 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
3
-
4,57 zł
9
7% = 0,33 zł
4,24 zł
15
10% = 0,47 zł
4,10 zł
30
12% = 0,57 zł
4,00 zł
60
15% = 0,68 zł
3,89 zł
120
18% = 0,80 zł
3,77 zł
300
21% = 0,94 zł
3,63 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Min.: 3
Suma (4,57 zł / Sztuka)
13,71 zł
5,62 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
Tranzystor FET
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
IRF9530NPBF
- Rodzaj produktu
MOSFET
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-220
- Producent
Infineon Technologies
- Kod producenta
INF
- Wykonanie
Kanał-P
- I(d)
14 A
- Napięcie niszczące U(BR) (DSS)
100 V
- Moc (maks) P(TOT)
79 W
- R(DS) wł.
200 mΩ
- Natężenie odniesienia R(DS)(on)
8.4 A
- Napięcie odniesienia R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- Natężenie odniesienia maks U (GS)(th)
250 µA
- Q(G)
58 nC
- Napięcie odniesienia Q(G)
10 V
- C(ISS)
760 pF
- Napięcie odniesienia C(ISS)
25 V
- Minimalna temperatura robocza
-55 °C
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Seria (elementu półprzewodnikowego)
HEXFET®
- Temperatura pracy (maks.)
+175 °C
- Cecha tranzystora
standardowy
- U(DSS)
100 V
- Ilość kanałów
1
- Zawartość
1 szt.
- Specyfikacja
Kanał P
- Typ
IRF9530N
- Opis
-100 V/-12 A
- Rodzaj obudowy
TO-220
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 162536 Tranzystor FET 2N International Rectifier IRF9530N
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 162536 Tranzystor FET 2N International Rectifier IRF9530N
Opis
Infineon Technologies IRF9530NPBF |