Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
Tranzystor FET 2N International Rectifier IRFB18N50K
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
MOSFET
Typ obudowy półprzewodnika
TO-220
Wykonanie
Kanał-N
Moc (maks) P(TOT)
220 W
R(DS) wł.
290 mΩ
Karta katalogowa (PDF)
59 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
1
-
16,58 zł
5
7% = 1,08 zł
15,50 zł
10
9% = 1,52 zł
15,06 zł
25
11% = 1,81 zł
14,77 zł
50
13% = 2,13 zł
14,45 zł
100
15% = 2,49 zł
14,09 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Suma (16,58 zł / Sztuka)
zł
20,39 zł
z VAT (klient indywidualny)
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
IRFB18N50KPBF
- Rodzaj produktu
MOSFET
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-220
- Producent
Vishay
- Kod producenta
VIS
- Wykonanie
Kanał-N
- I(d)
17 A
- Napięcie niszczące U(BR) (DSS)
500 V
- Moc (maks) P(TOT)
220 W
- R(DS) wł.
290 mΩ
- Natężenie odniesienia R(DS)(on)
10 A
- Napięcie odniesienia R(DS)(on)
10 V
- Q(G)
120 nC
- Napięcie odniesienia Q(G)
10 V
- C(ISS)
2830 pF
- Napięcie odniesienia C(ISS)
25 V
- Minimalna temperatura robocza
-55 °C
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Temperatura pracy (maks.)
+150 °C
- U(DSS)
500 V
- Ilość kanałów
1
- Zawartość
1 szt.
- Specyfikacja
Kanał N
- Typ
IRFB18N50K
- Opis
500 V/17 A
- Rodzaj obudowy
TO-220
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 162555 Tranzystor FET 2N International Rectifier IRFB18N50K
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 162555 Tranzystor FET 2N International Rectifier IRFB18N50K
Opis
Vishay IRFB18N50KPBF |