Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
Tranzystor FET 2N International Rectifier IRFB9N60APBF
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
MOSFET
Typ obudowy półprzewodnika
TO-220
Wykonanie
Kanał-N
Moc (maks) P(TOT)
170 W
R(DS) wł.
750 mΩ
Karta katalogowa (PDF)
85 Sztuki (Tylko do wyczerpania zapasów)
Liczba
Suma (4,96 zł / Sztuka)
8,53 zł
-42 %
4,96 zł
6,10 zł
z VAT (klient indywidualny)
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
Tranzystor FET
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
IRFB9N60APBF
- Rodzaj produktu
MOSFET
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-220
- Producent
Vishay
- Kod producenta
VIS
- Wykonanie
Kanał-N
- I(d)
9.2 A
- Napięcie niszczące U(BR) (DSS)
600 V
- Moc (maks) P(TOT)
170 W
- R(DS) wł.
750 mΩ
- Natężenie odniesienia R(DS)(on)
5.5 A
- Napięcie odniesienia R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- Natężenie odniesienia maks U (GS)(th)
250 µA
- Q(G)
49 nC
- Napięcie odniesienia Q(G)
10 V
- C(ISS)
1400 pF
- Napięcie odniesienia C(ISS)
25 V
- Minimalna temperatura robocza
-55 °C
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Temperatura pracy (maks.)
+150 °C
- Cecha tranzystora
standardowy
- U(DSS)
600 V
- Ilość kanałów
1
- Zawartość
1 szt.
- Specyfikacja
Kanał N
- Typ
IRFB9N60A
- Opis
600 V/9.2 A
- Rodzaj obudowy
TO-220
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 162562 Tranzystor FET 2N International Rectifier IRFB9N60APBF
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 162562 Tranzystor FET 2N International Rectifier IRFB9N60APBF
Opis
Vishay IRFB9N60APBF |