Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
Tranzystor FET 2N International Rectifier IRFBG30PBF
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
MOSFET
Typ obudowy półprzewodnika
TO-220
Wykonanie
Kanał-N
Moc (maks) P(TOT)
125 W
R(DS) wł.
5 Ω
Karta katalogowa (PDF)
124 Sztuki
Liczba
Suma (4,09 zł / Sztuka)
4,09 zł
5,03 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
Tranzystor FET
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
IRFBG30PBF
- Rodzaj produktu
MOSFET
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-220
- Producent
Vishay
- Kod producenta
VIS
- Wykonanie
Kanał-N
- I(d)
3.1 A
- Napięcie niszczące U(BR) (DSS)
1000 V
- Moc (maks) P(TOT)
125 W
- R(DS) wł.
5 Ω
- Natężenie odniesienia R(DS)(on)
1.9 A
- Napięcie odniesienia R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- Natężenie odniesienia maks U (GS)(th)
250 µA
- Q(G)
80 nC
- Napięcie odniesienia Q(G)
10 V
- C(ISS)
980 pF
- Napięcie odniesienia C(ISS)
25 V
- Minimalna temperatura robocza
-55 °C
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Temperatura pracy (maks.)
+150 °C
- Cecha tranzystora
standardowy
- U(DSS)
1000 V
- Ilość kanałów
1
- Zawartość
1 szt.
- Specyfikacja
Kanał N
- Typ
IRFBG30PBF
- Opis
1000 V / 3,1 A
- Rodzaj obudowy
TO-220
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 162578 Tranzystor FET 2N International Rectifier IRFBG30PBF
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 162578 Tranzystor FET 2N International Rectifier IRFBG30PBF
Opis
Vishay IRFBG30PBF |