Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
Tranzystor FET 2N International Rectifier IRFP 250N
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
MOSFET
Typ obudowy półprzewodnika
TO-247
Wykonanie
Kanał-N
Moc (maks) P(TOT)
214 W
R(DS) wł.
75 mΩ
Karta katalogowa (PDF)
183 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
1
-
8,85 zł
10
7% = 0,62 zł
8,23 zł
25
10% = 0,91 zł
7,94 zł
50
12% = 1,09 zł
7,76 zł
100
15% = 1,31 zł
7,54 zł
500
18% = 1,55 zł
7,30 zł
1000
20% = 1,81 zł
7,04 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Suma (8,85 zł / Sztuka)
zł
10,89 zł
z VAT (klient indywidualny)
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
IRFP250NPBF
- Rodzaj produktu
MOSFET
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-247
- Producent
Infineon Technologies
- Kod producenta
INF
- Wykonanie
Kanał-N
- I(d)
30 A
- Napięcie niszczące U(BR) (DSS)
200 V
- Moc (maks) P(TOT)
214 W
- R(DS) wł.
75 mΩ
- Natężenie odniesienia R(DS)(on)
18 A
- Napięcie odniesienia R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- Natężenie odniesienia maks U (GS)(th)
250 µA
- Q(G)
123 nC
- Napięcie odniesienia Q(G)
10 V
- C(ISS)
2159 pF
- Napięcie odniesienia C(ISS)
25 V
- Minimalna temperatura robocza
-55 °C
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Seria (elementu półprzewodnikowego)
HEXFET®
- Temperatura pracy (maks.)
+175 °C
- Cecha tranzystora
standardowy
- U(DSS)
200 V
- Ilość kanałów
1
- Zawartość
1 szt.
- Specyfikacja
Kanał N
- Typ
IRFP250N
- Opis
200 V/30 A
- Rodzaj obudowy
TO-247
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 162642 Tranzystor FET 2N International Rectifier IRFP 250N
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 162642 Tranzystor FET 2N International Rectifier IRFP 250N
Opis
Infineon Technologies IRFP250NPBF |