Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
Tranzystor FET 2N International Rectifier IRFP 3710
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
MOSFET
Typ obudowy półprzewodnika
TO-247-3
Wykonanie
Kanał-N
Moc (maks) P(TOT)
200 W
R(DS) wł.
25 mΩ
Karta katalogowa (PDF)
126 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
1
-
7,67 zł
10
7% = 0,54 zł
7,13 zł
25
10% = 0,79 zł
6,88 zł
50
12% = 0,95 zł
6,72 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Suma (7,67 zł / Sztuka)
10,80 zł
-29 %
zł
9,43 zł
z VAT (klient indywidualny)
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
IRFP3710PBF
- Rodzaj produktu
MOSFET
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-247-3
- Producent
Infineon Technologies
- Kod producenta
INF
- Wykonanie
Kanał-N
- I(d)
57 A
- Napięcie niszczące U(BR) (DSS)
100 V
- Moc (maks) P(TOT)
200 W
- R(DS) wł.
25 mΩ
- Natężenie odniesienia R(DS)(on)
28 A
- Napięcie odniesienia R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- Natężenie odniesienia maks U (GS)(th)
250 µA
- Q(G)
190 nC
- Napięcie odniesienia Q(G)
10 V
- C(ISS)
3000 pF
- Napięcie odniesienia C(ISS)
25 V
- Minimalna temperatura robocza
-55 °C
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Seria (elementu półprzewodnikowego)
HEXFET®
- Temperatura pracy (maks.)
+175 °C
- Cecha tranzystora
standardowy
- U(DSS)
100 V
- Ilość kanałów
1
- Zawartość
1 szt.
- Specyfikacja
Kanał N
- Typ
IRFP3710PBF
- Opis
100 V/51 A
- Rodzaj obudowy
TO-247-3
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 162653 Tranzystor FET 2N International Rectifier IRFP 3710
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 162653 Tranzystor FET 2N International Rectifier IRFP 3710
Opis
Infineon Technologies IRFP3710PBF | Tranzystor MOSFET to element konstrukcyjny sterowany napięciem, który można podłączyć bezpośrednio do źródeł wysokoomowych. Można go zastosować jako wyłącznik lub wzmacniacz analogowy; Kompatybilny z µC, TTL i CMOSl. Wskazówka: Producent SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.