Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
Tranzystor FET 2N International Rectifier IRFZ48NPBF
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
MOSFET
Typ obudowy półprzewodnika
TO-220
Wykonanie
Kanał-N
Moc (maks) P(TOT)
130 W
R(DS) wł.
14 mΩ
Karta katalogowa (PDF)
89 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
3
-
2,54 zł
9
7% = 0,17 zł
2,37 zł
15
10% = 0,26 zł
2,28 zł
30
12% = 0,31 zł
2,23 zł
60
15% = 0,37 zł
2,17 zł
120
17% = 0,44 zł
2,10 zł
300
20% = 0,52 zł
2,02 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Min.: 3
Suma (2,54 zł / Sztuka)
7,62 zł
3,12 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
Tranzystor FET
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
IRFZ48NPBF
- Rodzaj produktu
MOSFET
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-220
- Producent
Infineon Technologies
- Kod producenta
INF
- Wykonanie
Kanał-N
- I(d)
64 A
- Napięcie niszczące U(BR) (DSS)
55 V
- Moc (maks) P(TOT)
130 W
- R(DS) wł.
14 mΩ
- Natężenie odniesienia R(DS)(on)
32 A
- Napięcie odniesienia R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- Natężenie odniesienia maks U (GS)(th)
250 µA
- Q(G)
81 nC
- Napięcie odniesienia Q(G)
10 V
- C(ISS)
1970 pF
- Napięcie odniesienia C(ISS)
25 V
- Minimalna temperatura robocza
-55 °C
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Seria (elementu półprzewodnikowego)
HEXFET®
- Temperatura pracy (maks.)
+175 °C
- Cecha tranzystora
standardowy
- U(DSS)
55 V
- Ilość kanałów
1
- Zawartość
1 szt.
- Specyfikacja
Kanał N
- Typ
IRFZ48NPBF
- Opis
55 V/53 A
- Rodzaj obudowy
TO-220
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 162753 Tranzystor FET 2N International Rectifier IRFZ48NPBF
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 162753 Tranzystor FET 2N International Rectifier IRFZ48NPBF
Opis
Infineon Technologies IRFZ48NPBF |