Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
Tranzystor FET 2N International Rectifier IRLML2402TRPBF
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
MOSFET
Typ obudowy półprzewodnika
SOT-23
Wykonanie
Kanał-N
Moc (maks) P(TOT)
540 mW
R(DS) wł.
250 mΩ
Karta katalogowa (PDF)
18 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
15
-
2,02 zł
45
6% = 0,12 zł
1,90 zł
75
13% = 0,26 zł
1,76 zł
150
15% = 0,30 zł
1,72 zł
300
18% = 0,36 zł
1,66 zł
600
21% = 0,42 zł
1,60 zł
1500
26% = 0,52 zł
1,50 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Min.: 15
Suma (2,02 zł / Sztuka)
30,30 zł
2,48 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
Tranzystor FET
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
IRLML2402TRPBF
- Rodzaj produktu
MOSFET
- Typ obudowy półprzewodnika
SOT-23
- Producent
Infineon Technologies
- Kod producenta
INF
- Wykonanie
Kanał-N
- I(d)
1.2 A
- Napięcie niszczące U(BR) (DSS)
20 V
- Moc (maks) P(TOT)
540 mW
- R(DS) wł.
250 mΩ
- Natężenie odniesienia R(DS)(on)
930 mA
- Napięcie odniesienia R(DS)(on)
4.5 V
- U(GS)(th) max.
0.7 V
- Natężenie odniesienia maks U (GS)(th)
250 µA
- Q(G)
3.9 nC
- Napięcie odniesienia Q(G)
4.5 V
- C(ISS)
110 pF
- Napięcie odniesienia C(ISS)
15 V
- Minimalna temperatura robocza
-55 °C
- Sposób montażu
montaż na powierzchni
- Seria (elementu półprzewodnikowego)
HEXFET®
- Temperatura pracy (maks.)
+150 °C
- Cecha tranzystora
standardowy
- U(DSS)
20 V
- Ilość kanałów
1
- Zawartość
1 szt.
- Specyfikacja
Kanał N
- Typ
IRLML2402TRPBF
- Opis
20 V/1.2 A
- Rodzaj obudowy
Micro3
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 162826 Tranzystor FET 2N International Rectifier IRLML2402TRPBF
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 162826 Tranzystor FET 2N International Rectifier IRLML2402TRPBF
Opis
Infineon Technologies IRLML2402TRPBF |