Tranzystor HEXFET/FETKY International Rectifier IRLU 024 N, HEXFET, I-PAK, I(D) 17 A

Cechy produktu

HEXFET/FETKY

Dodatkowe informacje:

Dane techniczne

Model katalogowy producenta: IRLU024NPBF

Rodzaj produktu: MOSFET

Typ obudowy półprzewodnika: I-PAK

Producent: Infineon Technologies

Kod producenta: INF

Wykonanie: HEXFET

I(d): 17 A

Napięcie niszczące U(BR) (DSS): 55 V

Moc (maks) P(TOT): 45 W

R(DS) wł.: 65 mΩ

Natężenie odniesienia R(DS)(on): 10 A

Napięcie odniesienia R(DS)(on): 10 V

U(GS)(th) max.: 2 V

Natężenie odniesienia maks U (GS)(th): 250 µA

Q(G): 15 nC

Napięcie odniesienia Q(G): 5 V

C(ISS): 480 pF

Napięcie odniesienia C(ISS): 25 V

Minimalna temperatura robocza: -55 °C

Sposób montażu: do montażu w otworach

Seria (elementu półprzewodnikowego): HEXFET®

Temperatura pracy (maks.): +175 °C

Cecha tranzystora: Poziom bramki logicznej

U(DSS): 55 V

Ilość kanałów: 1

Zawartość: 1 szt.

Specyfikacja: HEXFET

Typ: IRLU024N

Opis: 60 V / 17 A

Rodzaj obudowy: I-PAK

Do pobrania

Karta katalogowa

Karta katalogowa 162856 Tranzystor HEXFET/FETKY International Rectifier IRLU 024 N, HEXFET, I-PAK, I(D) 17 A

Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa

Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 162856 Tranzystor HEXFET/FETKY International Rectifier IRLU 024 N, HEXFET, I-PAK, I(D) 17 A

Często wyszukiwane Tranzystory polowe MOSFET:

Tranzystory polowe MOSFET z kanałem N
Tranzystory polowe MOSFET z kanałem P

Liczba