Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
Tranzystor Infineon Technologies BC859C PNP Rodzaj obudowy SOT-23 N/A N/A
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Opakowanie
taśma cięta
Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Typ obudowy półprzewodnika
SOT-23-3
Wykonanie
PNP
Prąd kolektora I(C)
-100 mA
Karta katalogowa (PDF)
1807 Sztuki (Tylko do wyczerpania zapasów)
Liczba
Suma (0,15 zł / Sztuka)
0,33 zł
-55 %
0,15 zł
0,18 zł
z VAT (klient indywidualny)
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
Tranzystor
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Opakowanie
taśma cięta
- Model katalogowy producenta
BC859C
- Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
- Typ obudowy półprzewodnika
SOT-23-3
- Producent
Infineon Technologies
- Kod producenta
INF
- Ilość kanałów
1
- Wykonanie
PNP
- Prąd kolektora I(C)
-100 mA
- Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
-30 V
- Saturacja VCE (maks.)
-650 mV
- Prąd upływu kolektora I(CES)
-15 nA
- Moc (maks) P(TOT)
330 mW
- Wzmocnienie DC (hFE)
420
- Wzmocnienie DC - natężenie odniesienia hFE
-2 mA
- Wzmocnienie DC - napięcie odniesienia hFE
-5 V
- Częstotliwość przejść f(T)
250 MHz
- Sposób montażu
montaż na powierzchni
- Zawartość
1 szt.
- Specyfikacja
PNP
- Typ
BC859C
- Rodzaj obudowy
SOT-23
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 153145 Tranzystor Infineon Technologies BC859C PNP Rodzaj obudowy SOT-23 N/A N/A
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 153145 Tranzystor Infineon Technologies BC859C PNP Rodzaj obudowy SOT-23 N/A N/A
Opis
Infineon Technologies BC859C | Tranzystor PNP