Tranzystor małosygnałowy Infineon BSS 139, kanał N, SOT 23, I(D) 40 mA, U(DS) 250 V

Cechy produktu

Tranzystor małosygnałowy Infineon

Dodatkowe informacje:

Dane techniczne

Model katalogowy producenta: BSS139

Rodzaj produktu: MOSFET

Typ obudowy półprzewodnika: TO-236-3

Producent: Infineon Technologies

Kod producenta: INF

Wykonanie: Kanał-N

I(d): 100 mA

Napięcie niszczące U(BR) (DSS): 250 V

Moc (maks) P(TOT): 360 mW

R(DS) wł.: 14 Ω

Natężenie odniesienia R(DS)(on): 0.1 mA

Napięcie odniesienia R(DS)(on): 10 V

U(GS)(th) max.: 1 V

Natężenie odniesienia maks U (GS)(th): 56 µA

Q(G): 3.5 nC

Napięcie odniesienia Q(G): 5 V

C(ISS): 76 pF

Napięcie odniesienia C(ISS): 25 V

Minimalna temperatura robocza: -55 °C

Sposób montażu: montaż na powierzchni

Seria (elementu półprzewodnikowego): SIPMOS®

Temperatura pracy (maks.): +150 °C

Cecha tranzystora: z trybem wyczerpywania

U(DSS): 250 V

Ilość kanałów: 1

Zawartość: 1 szt.

Specyfikacja: Kanał N

Typ: BSS139

Rodzaj obudowy: SOT-23

Do pobrania

Karta katalogowa

Karta katalogowa 152941 Tranzystor małosygnałowy Infineon BSS 139, kanał N, SOT 23, I(D) 40 mA, U(DS) 250 V

Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa

Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 152941 Tranzystor małosygnałowy Infineon BSS 139, kanał N, SOT 23, I(D) 40 mA, U(DS) 250 V

Często wyszukiwane Tranzystory polowe MOSFET:

Tranzystory polowe MOSFET z kanałem N
Tranzystory polowe MOSFET z kanałem P