Tranzystor MOSFET Fairchild Semiconductor RFP 12 N 10 L, TO 220 AB, I(D) 12 A, U(DS) 100

Dane techniczne

Model katalogowy producenta: RFP12N10L

Rodzaj produktu: MOSFET

Typ obudowy półprzewodnika: TO-220AB

Producent: ON Semiconductor

Kod producenta: OnS

Wykonanie: Kanał-N

I(d): 12 A

Napięcie niszczące U(BR) (DSS): 100 V

Moc (maks) P(TOT): 60 W

R(DS) wł.: 200 mΩ

Natężenie odniesienia R(DS)(on): 12 A

Napięcie odniesienia R(DS)(on): 10 V

U(GS)(th) max.: 2 V

Natężenie odniesienia maks U (GS)(th): 250 µA

C(ISS): 900 pF

Napięcie odniesienia C(ISS): 25 V

Minimalna temperatura robocza: -55 °C

Sposób montażu: do montażu w otworach

Temperatura pracy (maks.): +150 °C

Cecha tranzystora: Poziom bramki logicznej

U(DSS): 100 V

Ilość kanałów: 1

Zawartość: 1 szt.

Specyfikacja: Kanał N

Typ: RFP12N10L

Rodzaj obudowy: TO-220AB

Do pobrania

Karta katalogowa

Karta katalogowa 151623 Tranzystor MOSFET Fairchild Semiconductor RFP 12 N 10 L, TO 220 AB, I(D) 12 A, U(DS) 100

Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa

Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 151623 Tranzystor MOSFET Fairchild Semiconductor RFP 12 N 10 L, TO 220 AB, I(D) 12 A, U(DS) 100

Często wyszukiwane Tranzystory polowe MOSFET:

Tranzystory polowe MOSFET z kanałem N
Tranzystory polowe MOSFET z kanałem P