Tranzystor MOSFET International Rectifier IRF 3205, kanał N, TO 220 AB, I(D) 110 A

Cechy produktu

MOSFET Kanał N

Dodatkowe informacje:

Dane techniczne

Model katalogowy producenta: IRF3205

Rodzaj produktu: MOSFET

Typ obudowy półprzewodnika: TO-220AB

Producent: Infineon Technologies

Kod producenta: INF

Wykonanie: Kanał-N

I(d): 110 A

Napięcie niszczące U(BR) (DSS): 55 V

Moc (maks) P(TOT): 200 W

R(DS) wł.: 8 mΩ

Natężenie odniesienia R(DS)(on): 62 A

Napięcie odniesienia R(DS)(on): 10 V

U(GS)(th) max.: 4 V

Natężenie odniesienia maks U (GS)(th): 250 µA

Q(G): 146 nC

Napięcie odniesienia Q(G): 10 V

C(ISS): 3247 pF

Napięcie odniesienia C(ISS): 25 V

Minimalna temperatura robocza: -55 °C

Sposób montażu: montaż na powierzchni

Seria (elementu półprzewodnikowego): HEXFET®

Temperatura pracy (maks.): +175 °C

Cecha tranzystora: standardowy

U(DSS): 55 V

Ilość kanałów: 1

Zawartość: 1 szt.

Specyfikacja: Kanał N

Typ: IRF3205

Opis: 55 V / 110 A

Rodzaj obudowy: TO-220AB

Do pobrania

Karta katalogowa

Karta katalogowa 158712 Tranzystor MOSFET International Rectifier IRF 3205, kanał N, TO 220 AB, I(D) 110 A

Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa

Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 158712 Tranzystor MOSFET International Rectifier IRF 3205, kanał N, TO 220 AB, I(D) 110 A

Często wyszukiwane Tranzystory polowe MOSFET:

Tranzystory polowe MOSFET z kanałem N
Tranzystory polowe MOSFET z kanałem P

Liczba