Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
Tranzystor MOSFET International Rectifier IRF 5210, kanał P, TO 220, I(D) -40 A
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
MOSFET
Typ obudowy półprzewodnika
TO-220
Wykonanie
Kanał-P
Moc (maks) P(TOT)
200 W
R(DS) wł.
60 mΩ
Karta katalogowa (PDF)
176 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
1
-
8,45 zł
10
7% = 0,60 zł
7,85 zł
25
10% = 0,87 zł
7,58 zł
50
12% = 1,05 zł
7,40 zł
100
15% = 1,25 zł
7,20 zł
500
18% = 1,48 zł
6,97 zł
1000
20% = 1,73 zł
6,72 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Suma (8,45 zł / Sztuka)
8,45 zł
10,39 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
Tranzystor MOSFET International
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
IRF5210PBF
- Rodzaj produktu
MOSFET
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-220
- Producent
Infineon Technologies
- Kod producenta
INF
- Wykonanie
Kanał-P
- I(d)
40 A
- Napięcie niszczące U(BR) (DSS)
100 V
- Moc (maks) P(TOT)
200 W
- R(DS) wł.
60 mΩ
- Natężenie odniesienia R(DS)(on)
24 A
- Napięcie odniesienia R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- Natężenie odniesienia maks U (GS)(th)
250 µA
- Q(G)
180 nC
- Napięcie odniesienia Q(G)
10 V
- C(ISS)
2700 pF
- Napięcie odniesienia C(ISS)
25 V
- Minimalna temperatura robocza
-55 °C
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Seria (elementu półprzewodnikowego)
HEXFET®
- Temperatura pracy (maks.)
+175 °C
- Cecha tranzystora
standardowy
- U(DSS)
100 V
- Ilość kanałów
1
- Zawartość
1 szt.
- Specyfikacja
Kanał P
- Typ
IRF5210
- Opis
-100 V / -40 A
- Rodzaj obudowy
TO-220
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 162406 Tranzystor MOSFET International Rectifier IRF 5210, kanał P, TO 220, I(D) -40 A
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 162406 Tranzystor MOSFET International Rectifier IRF 5210, kanał P, TO 220, I(D) -40 A
Opis
Infineon Technologies IRF5210PBF |