Tranzystor MOSFET International Rectifier IRF 9 Z 24 N, kanał P, TO 220, I(D) -12 A

Cechy produktu

Tranzystor MOSFET International

Dodatkowe informacje:

Dane techniczne

Model katalogowy producenta: IRF9Z24NPBF

Rodzaj produktu: MOSFET

Typ obudowy półprzewodnika: TO-220AB

Producent: Infineon Technologies

Kod producenta: INF

Wykonanie: Kanał-P

I(d): 12 A

Napięcie niszczące U(BR) (DSS): 55 V

Moc (maks) P(TOT): 45 W

R(DS) wł.: 175 mΩ

Natężenie odniesienia R(DS)(on): 7.2 A

Napięcie odniesienia R(DS)(on): 10 V

U(GS)(th) max.: 4 V

Natężenie odniesienia maks U (GS)(th): 250 µA

Q(G): 19 nC

Napięcie odniesienia Q(G): 10 V

C(ISS): 350 pF

Napięcie odniesienia C(ISS): 25 V

Minimalna temperatura robocza: -55 °C

Sposób montażu: do montażu w otworach

Seria (elementu półprzewodnikowego): HEXFET®

Temperatura pracy (maks.): +175 °C

Cecha tranzystora: standardowy

U(DSS): 55 V

Ilość kanałów: 1

Zawartość: 1 szt.

Specyfikacja: Kanał P

Typ: IRF9Z24NPBF

Opis: -60 V / -12 A

Rodzaj obudowy: TO-220AB

Do pobrania

Karta katalogowa

Karta katalogowa 162549 Tranzystor MOSFET International Rectifier IRF 9 Z 24 N, kanał P, TO 220, I(D) -12 A

Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa

Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 162549 Tranzystor MOSFET International Rectifier IRF 9 Z 24 N, kanał P, TO 220, I(D) -12 A

Często wyszukiwane Tranzystory polowe MOSFET:

Tranzystory polowe MOSFET z kanałem N
Tranzystory polowe MOSFET z kanałem P