Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
Tranzystor MOSFET International Rectifier IRFZ 24 N, N-Kanał, TO 220, 17 A, 55 V
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
MOSFET
Typ obudowy półprzewodnika
TO-220
Wykonanie
Kanał-N
Moc (maks) P(TOT)
45 W
R(DS) wł.
70 mΩ
Karta katalogowa (PDF)
263 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
3
-
4,96 zł
9
7% = 0,35 zł
4,61 zł
15
10% = 0,51 zł
4,45 zł
30
13% = 0,62 zł
4,34 zł
60
15% = 0,73 zł
4,23 zł
120
18% = 0,87 zł
4,09 zł
300
21% = 1,02 zł
3,94 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Min.: 3
Suma (4,96 zł / Sztuka)
zł
6,10 zł
z VAT (klient indywidualny)
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
IRFZ24NPBF
- Rodzaj produktu
MOSFET
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-220
- Producent
Infineon Technologies
- Kod producenta
INF
- Wykonanie
Kanał-N
- I(d)
17 A
- Napięcie niszczące U(BR) (DSS)
55 V
- Moc (maks) P(TOT)
45 W
- R(DS) wł.
70 mΩ
- Natężenie odniesienia R(DS)(on)
10 A
- Napięcie odniesienia R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- Natężenie odniesienia maks U (GS)(th)
250 µA
- Q(G)
20 nC
- Napięcie odniesienia Q(G)
10 V
- C(ISS)
370 pF
- Napięcie odniesienia C(ISS)
25 V
- Minimalna temperatura robocza
-55 °C
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Seria (elementu półprzewodnikowego)
HEXFET®
- Temperatura pracy (maks.)
+175 °C
- Cecha tranzystora
standardowy
- U(DSS)
55 V
- Ilość kanałów
1
- Zawartość
1 szt.
- Specyfikacja
Kanał N
- Typ
IRFZ24NPBF
- Opis
55 V / 17 A
- Rodzaj obudowy
TO-220
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 162739 Tranzystor MOSFET International Rectifier IRFZ 24 N, N-Kanał, TO 220, 17 A, 55 V
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 162739 Tranzystor MOSFET International Rectifier IRFZ 24 N, N-Kanał, TO 220, 17 A, 55 V
Opis
Infineon Technologies IRFZ24NPBF |