Tranzystor MOSFET International Rectifier IRLML 6402 TR, kanał P, Micro 3, I(D) -3.7 A

Cechy produktu

Tranzystor MOSFET International

Dodatkowe informacje:

Dane techniczne

Model katalogowy producenta: IRLML6402TRPBF

Rodzaj produktu: MOSFET

Typ obudowy półprzewodnika: SOT-23

Producent: Infineon Technologies

Kod producenta: INF

Wykonanie: Kanał-P

I(d): 3.7 A

Napięcie niszczące U(BR) (DSS): 20 V

Moc (maks) P(TOT): 1.3 W

R(DS) wł.: 65 mΩ

Natężenie odniesienia R(DS)(on): 3.7 A

Napięcie odniesienia R(DS)(on): 4.5 V

U(GS)(th) max.: 1.2 V

Natężenie odniesienia maks U (GS)(th): 250 µA

Q(G): 12 nC

Napięcie odniesienia Q(G): 5 V

C(ISS): 633 pF

Napięcie odniesienia C(ISS): 10 V

Minimalna temperatura robocza: -55 °C

Sposób montażu: montaż na powierzchni

Seria (elementu półprzewodnikowego): HEXFET®

Temperatura pracy (maks.): +150 °C

Cecha tranzystora: standardowy

U(DSS): 20 V

Ilość kanałów: 1

Zawartość: 1 szt.

Specyfikacja: Kanał P

Typ: IRLML6402TRPBF

Opis: -20 V / -3,7 A

Rodzaj obudowy: Micro3

Do pobrania

Karta katalogowa

Karta katalogowa 162833 Tranzystor MOSFET International Rectifier IRLML 6402 TR, kanał P, Micro 3, I(D) -3.7 A

Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa

Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 162833 Tranzystor MOSFET International Rectifier IRLML 6402 TR, kanał P, Micro 3, I(D) -3.7 A

Często wyszukiwane Tranzystory polowe MOSFET:

Tranzystory polowe MOSFET z kanałem N
Tranzystory polowe MOSFET z kanałem P