Tranzystor MOSFET ON Semiconductor 2 N 7000, kanał N, TO 92, I(D) 0.2 A, U(DS) 60 V

Cechy produktu

Tranzystor MOSFET ON

Dodatkowe informacje:

Dane techniczne

Model katalogowy producenta: 2N7000

Rodzaj produktu: MOSFET

Typ obudowy półprzewodnika: TO-92

Producent: ON Semiconductor

Kod producenta: OnS

Wykonanie: Kanał-N

I(d): 200 mA

Napięcie niszczące U(BR) (DSS): 60 V

Moc (maks) P(TOT): 400 mW

R(DS) wł.: 5 Ω

Natężenie odniesienia R(DS)(on): 500 mA

Napięcie odniesienia R(DS)(on): 10 V

U(GS)(th) max.: 3 V

Natężenie odniesienia maks U (GS)(th): 1 mA

C(ISS): 50 pF

Napięcie odniesienia C(ISS): 25 V

Minimalna temperatura robocza: -55 °C

Sposób montażu: do montażu w otworach

Temperatura pracy (maks.): +150 °C

Cecha tranzystora: standardowy

U(DSS): 60 V

Ilość kanałów: 1

Zawartość: 1 szt.

Specyfikacja: Kanał N

Typ: 2N7000

Rodzaj obudowy: TO-92

Do pobrania

Karta katalogowa

Karta katalogowa 151034 Tranzystor MOSFET ON Semiconductor 2 N 7000, kanał N, TO 92, I(D) 0.2 A, U(DS) 60 V

Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa

Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 151034 Tranzystor MOSFET ON Semiconductor 2 N 7000, kanał N, TO 92, I(D) 0.2 A, U(DS) 60 V

Często wyszukiwane Tranzystory polowe MOSFET:

Tranzystory polowe MOSFET z kanałem N
Tranzystory polowe MOSFET z kanałem P