Tranzystor MOSFET ST Microelectronics IRF 640, N-Kanał, TO 220 AB, 9 A, 200 V

Cechy produktu

Tranzystor MOSFET ST

Dodatkowe informacje:

Dane techniczne

Model katalogowy producenta: IRF630

Rodzaj produktu: MOSFET

Typ obudowy półprzewodnika: TO-220AB

Producent: STMicroelectronics

Kod producenta: STM

Wykonanie: Kanał-N

I(d): 9 A

Napięcie niszczące U(BR) (DSS): 200 V

Moc (maks) P(TOT): 75 W

R(DS) wł.: 400 mΩ

Natężenie odniesienia R(DS)(on): 4.5 A

Napięcie odniesienia R(DS)(on): 10 V

U(GS)(th) max.: 4 V

Natężenie odniesienia maks U (GS)(th): 250 µA

Q(G): 45 nC

Napięcie odniesienia Q(G): 10 V

C(ISS): 700 pF

Napięcie odniesienia C(ISS): 25 V

Minimalna temperatura robocza: -65 °C

Sposób montażu: do montażu w otworach

Seria (elementu półprzewodnikowego): MESH OVERLAY™ II

Temperatura pracy (maks.): +150 °C

Cecha tranzystora: standardowy

U(DSS): 200 V

Ilość kanałów: 1

Zawartość: 1 szt.

Specyfikacja: Kanał N

Typ: IRF630

Rodzaj obudowy: TO-220AB

Do pobrania

Karta katalogowa

Karta katalogowa 155772 Tranzystor MOSFET ST Microelectronics IRF 640, N-Kanał, TO 220 AB, 9 A, 200 V

Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa

Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 155772 Tranzystor MOSFET ST Microelectronics IRF 640, N-Kanał, TO 220 AB, 9 A, 200 V

Często wyszukiwane Tranzystory polowe MOSFET:

Tranzystory polowe MOSFET z kanałem N
Tranzystory polowe MOSFET z kanałem P